Все выпускаемые ИМС делятся на три группы по конструктивно-технологическим особенностям: каждой группе в системе условных обозначений присваивается своя цифра:

1, 5, 7 – ИМС полупроводниковые (7 – бескорпусные);

2, 4, 6, 8 – ИМС гибридные;

3 – ИМС прочие. К ним относятся пленочные ИМС.

По характеру выполняемых функций в радиоэлектронной аппаратуре ИМС делятся на подгруппы – генераторы, усилители, модуляторы и другие. Подгруппы делятся на виды: усилители – подгруппа, виды усилителей: высокой частоты, низкой частоты и так далее.

Элементную базу аппаратуры составляют серии ИМС – совокупность ИМС, выполняющих различные функции, имеющих единую конструктивно-технологическую базу и предназначенных для совместного применения в аппаратуре.

Первый элемент – цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе;

Второй элемент – две или три цифры, означающие порядковый номер разработки данной серии ИМС; Первые два элемента, состоящие из трех-четырех цифр, характеризуют полный номер серии ИМС;

Третий элемент – две буквы, первая из которых характеризует подгруппу, а вторая – вид в этой подгруппе;

Четвертый элемент – порядковый номер разработки ИМС в данной серии, в которой может быть несколько одинаковых по своему функциональному назначению ИМС.

Для микросхем широкого применения в начале маркировки ставится буква К. Если после буквы К ставится буква П или М, то значит, что вся серия имеет пластмассовый или керамический корпус.

Например, К174УН7 – ИМС широкого применения (К), серия 174, полупроводниковая технология (1), подгруппа усилителей (У), вид – низкой частоты, порядковый номер разработки 7.

Выводы. 1. Создание ИМС вызвано необходимостью увеличения надежности, уменьшения габаритных размеров массы, стоимости сложной электронной аппаратуры. 2. ИМС выполняет определенную функцию, имеет высокую плотность размещения элементов.3. Все элементы ИМС рассматриваются как единое целое. схемы. 4. Достоинство гибридных ИМС- простота изготовления, малая трудоемкость и низкая стоимость по сравнению с полупроводниковыми ИМС. 5.Применение МДП-транзисторов в БИС обеспечивает большую степень интеграции за счет меньших размеров транзистора и меньшей площади изоляции.

Коптрольные вопросы:

1.Какими особенностями обладает ИМС?

2.По каким признакам производится классификация ИМС?

3.Назовите все элементы конструкции ИМС.

4.В чем отличие гибридной и пленочной ИМС?

5.Дайте определение базового комплекта БИС.

6.Дайте определение степени интеграции.

7.Какие элементы системы обозначений ИМС составляют номер серии?

8.Какие существуют проблемы повышения степени интеграции?

9.В чем состоят основные особенности больших интегральных схем?

За рубежом существуют различные системы кодирования (обозначения, маркировки) ИМС, действующие как в международном масштабе, так и внутри отдельных стран или фирм.
В европейских странах система кодирования ИМС аналогична системе, принятой для кодирования дискретных полупроводниковых приборов, и используется полупроводниковыми фирмами различных стран (Англии, Бельгии, Италии, Испании, Нидерландов, Швеции, Франции, ФРГ и др.). Основные принципы кодирования системы, по которой обозначения присваиваются международной организацией Association International Pro Electron, приводятся ниже.

Код состоит из трех букв, за которыми следует серийный номер (например, ТВА810, SAB2000, FLH101).

Первая буква для одиночных схем отражает принцип преобразования сигнала в схеме: S - цифровое; Т - аналоговое; U - смешанное (аналого-цифровое).

Вторая буква не имеет специального значения (выбирается фирмой-изготовителем), за исключением буквы Н, которой обозначаются гибридные схемы.
Для серий (семейств) цифровых схем первые две буквы (FA, FB, FC, FD, FE, FF, FJ, FI, FL, FQ, FT, FY, FZ, GA, GB, GD, GF, GM, GT, GX, GY, GZ, НВ, НС) отражают схемотехнологические особенности, например: FY - ЭСЛ-серия; FD, GD - МОП-схемы; FQ - ДТЛ-схемы; GA - маломощные ТТЛ-схемы; FL, GF - стандартные ТТЛ-схемы; GJ - быстродействующие ТТЛ-схемы; GM - маломощные с диодами Шотки ТТЛ-схемы; НВ - комплементарные МОП-схемы серии 4000 А; НС -комплементарные МОП-схемы серии 4500 В.

Третья буква обозначает диапазон рабочих температур или, как исключение, другую важную характеристику:
А - температурный диапазон не нормирован;
В - от 0 до + 70°С;
С - от -55 до +125°С;
D - от -25 до +70°С;
Е - от -25 до +85°С;
F - от -40 до +85°С;
G - от -55 до + 85°С.

Затем следует серийный номер, состоящий минимум из четырех цифр. Если он состоит менее чем из четырех цифр, то число цифр увеличивается до четырех добавлением нулей перед ними.

Кроме того, за цифрами может следовать буква для обозначения варианта (разновидности) основного типа. Типы корпусов могут обозначаться одной или двумя буквами. При двухбуквенном обозначении вариантов корпусов (после серийного номера) первая буква отражает конструкцию:
С - цилиндрический корпус;
D - с двухрядным параллельным расположением выводов (DIP);
Е - мощный с двухрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом);
F - плоский (с двусторонним расположением выводов);
G - плоский (четырехсторонним расположением выводов);
К - корпус типа ТО-3;
М - многорядный (больше четырех рядов);
Q - с четырехрядным параллельным расположением выводов;
R - мощный с четырехрядным расположением выводов (с внешним теплоотводом);
S - с однорядным расположением выводов;
Т - с трехрядным расположением выводов.
Вторая буква показывает материал корпуса:
G - стеклокерамика;
М - металл;
Р - пластмасса;
X - прочие.

Обозначения корпусов с одной буквой:
С - цилиндрический;
D - керамический;
F - плоский;
L - ленточный кристаллодержатель;
Р - пластмассовый DIP;
Q - с четырехрядным расположением выводов;
Т - миниатюрный пластмассовый;
U - бескорпусная ИМС.

В коде, действовавшем до 1973 г., первые две буквы обозначают то же, что и в современном, а третья буква показывает функциональное назначение:
А - линейное усиление;
В - частотное преобразование/демодуляция;
С - генерация колебаний;
Н - логические схемы;
J - двухстабильные или мультистабильные схемы (делители частоты, триггеры, счетчики, регистры);
К - моностабильные схемы (одновибраторы);
L - цифровые преобразователи уровня (дешифраторы, драйверы);
М - схемы со сложной логической конфигурацией (например, сумматор);
N - двухстабильные или мультистабильные схемы (с длительным хранением информации);
Q - оперативное запоминающее устройство (ОЗУ);
R - постоянное запоминающее устройство (ПЗУ);
S - усилитель считывания с цифровым выходом;
Y - прочие схемы.

Следующие затем первые две цифры указывают серийный номер (от 10 до 99), а третья цифра - диапазон рабочих температур: 0 - температурный диапазон не нормирован; 1 - от 0 до +70°С; 2 - от -55 до 125°С; 3 - от -10 до +85°С; 4 - от + 15 до +55°С; 5 - от -25 до +70°С; 6- от -40 до +85°С.

Например, ИМС типа FY H121 является цифровой логической ИМС (буква Н) и относится к семейству FY (ЭСЛ). Она совместима с другими ИМС этой серии (семейства), т. е. используется при таком же напряжении питания, при тех же входных и выходных уровнях, имеет то же быстродействие. Это третий прибор серии (цифра 12), работает в температурном диапазоне от 0 до 70°С.

Буквенное обозначение ИМС различных фирм

Буквенное обозначение	Фирма	Буквенное обозначение	Фирма
A	RFT	DMPAL	NSC
AD	Analod Devices (AD)	DMX	PMI
ADB	National Semiconductor Corp. (NSC)	DN	Matsushita
		DP	NSC
ADC	NSC, Datel, Burr-Brown (BB), Hybrid Systems (HS)	DQ	SEEQ
		DS	GI, NSC
ADD	NSC	E	RFT, SGS
ADM	NSC	ECG	Sylvania
ADS	NSC	EF	Thomson
ADX	NSC	EFB	Thomson
AF	NSC	EFD	Thomson
AH	NSC	EFF	Thomson
AM	Advanced Micro Devices (AMD), NSC, Raytheon, DSI	EFG EFH	Thomson Thomson
AMPAL	AMD	EFM	Thomson
AN	Matsushita	EFS	Thomson
ATF	BB	EFT	Thomson
AY	General Instrument (GI)	EFY	Thomson
B	Fujitsu, RFT	EFZ	Thomson
BA	Rohm	EL	Elcap
Bt	Brooktree Corp.	EP	Altera
BUF	Precision Monolithics Inc. (PMI)	ER ESM	GI Thomson
C	NSC, Fujitsu, RFT	ET	Thomson
CA	RCA	ETC	Thomson
CCD	Fairchild	ETL	Thomson
CD	RCA, NSC	F	Fairchild, Master Logic (ML)
CDA	Thomson	FC	Mullard
CDM	RCA	FCH	Valvo
CDP	RCA	FCK	Valvo
CF	Harris	FCL	Valvo
CM	Solitron, Mitel	FCM	Fairchild
CMP	PMI	FCY	Valvo
COM	SMC	FD	RTC, Siemens
COP	NSC	FDN	Valvo
CP	GI	FDQ	Valvo
CRT	SMC	FDR	Valvo
CSC	Crystal Semiconductor	FE	RTC
CS	Cherry Semiconductor Corp.	FEJ	Valvo
CU	GI	FEY	Valvo
CX	Sony	FF	RTC
CXA	Sony	FGC	Fairchild
CY	Cypress Semiconductor	FGE	Fairchild
D	Corp. RFT, Intersil, Siliconix	FJ FK	Mullard, RTC Mullard
DA-AD	NSC	FL	Siemens
DAC	BB, Datel, PMI, HS, NSC, Raytheon	FLT FQ	DSI SGS
DAS	Datel	FWA	Fairchild
DAX	NSC	FX	Consumer Microcircuits Limited
DC	Digital Equipment Corp. (DEC)	FY	Siemens
DCJ	DEC	FZ	Siemens
DE	SEEQ	FZH	Valvo
DF	Siliconix	FZJ	Valvo
DG	Intersil, Siliconix	FZK	Valvo
DGM	Siliconix	FZL	Valvo
DH	NSC	G	Siliconix, Intersil
DI	Dionics	GA	Mostek
DL	GI, RFT	GAP	PMI
DM	NSC, SEEQ	GB	Mostek

Буквенное обозначение	Фирма	Буквенное обозначение	Фирма
GD	Siemens	IRK	Sharp
GE	General Electric (GE)	ISP	NSC
GEIC	GE	ITT	ITT
GF	RTC	IX	Intel
GL	GSS	J	Matsushita
GT	RTC	JBP	Texas Instruments (TI)
GX	Siemens, Valvo	KA	Samsung
GXB	Philips, RTC, Valvo	KB	GI
GZ	RTC	KM	Samsung
GZF	Valvo	KR	SMC
H	Hughes, SGS, Siliconix	KS	Gold Star, Samsung
HA	Harris, Hitachi	L	SGS, Siliconix
HAB	Harris, RTC, Valvo	LA	Sanyo, GI
HAL	Monolithic Memories (MMI)	LAS	Lambda
HAS	AD	LB	Sanyo
HBS, HBF	SGS	LC	GI, Sanyo
HC	Harris, Honeywell, RCA	LD	Siliconix
HCC	SGS	LE	Sanyo, Seeq
HCF	SGS-ATES	LF	NSC
HCMP	Hughes	LFT	NSC
HD	Harris, Hitachi	LG	GI
HDS	AD	LH	NSC, Raytheon, Sharp, Siliconix
HE	Honeywell	LLM	Lambda
HEF	Mullard, Philips, RTC, Valvo	LM	NSC, Raytheon, Sanyo, Seeq, Siliconix, Signetics
HI	Harris
HLCD	Hughes	LMC	Lambda
HM	Harris, Hitachi	LNA	TRW
HMCS	Hitachi	LP	NSC
HMMP	Hughes	LPD	Lambda
HN	Hitachi	LQ	Seeq
HNVM	Hughes	LR	Sharp
HPL	Harris	LS	SGS
HPROM	Harris	LT	Linear Technology Corp.
HRAM	Harris	LTT	Lighes Telegraphiques Telefoniques
HROM	Harris	LU	Sharp
HS	Harris, Hybrid Systems NSC	LZ	Sharp
HSG	SGS	M	Matsushita, Mitsubishi, SGS, Thomson
HSSR	Hughes
HSO	RTC	MA	Mitel. Philips
HT	Harris, Honeywell	MAA	ITT, Tesla
HX	Philips	MAB	Tesla
HXA	RTC	MAC	Tesla
HY	NSC	MAF	Tesla
IB	Intel	MAS	Tesla
IC	Intel	MAT	PMI
ICL	Intersil	Max	Maxim
ICM	Intersil	MB	Fujitsu, Intel, Philips
ID	Intel	MBA	Tesla
IDM	NSC	MBL	Fujitsu
IH	Intersil, NSC	MBM	Fujitsu
IM	Intel, Intersil, NSC	MC	Intel, Motorola, Nippon Electric (NEC), Unitra
IMI	International Microcircuits Inc. (IMI)	MCA	NSC, Tesla
IMP	NSC	MCB	Motorola
IMS	Inmos	MCBC	Motorola
INS	NSC	MCC	Motorola
IP	Intel	MCCF	Motorola
IPC	NSC	MCE	Motorola, MCE
IR	Sharp	MCM	Motorola

Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)

Буквенное обозначение	Фирма	Буквенное обозначение	Фирма
MCX	Unitra	NOM	Plessey
MCY	Unitra	NS	Nitron
MD	Intel, Mitel, Philips	NSC	NSC
MDA	Tesla	NSL	NSC
ME	Philips	OP	PMI
MEA	Milliard	OPA	BB
MEB	Philips	PA	RCA
MEM	GI	PAL	MMI, NSC
MEN	GI
MF	NSC	PC	GI
MGB	MCE	PCA	Philips, Valvo
MGC	MCE	PCB	Milliard, Philips, Valvo
MH	NSC, Mitel, Tesla
MHA	Tesla	PCC	Philips, Valvo
MHC	Tesla	PCD	Milliard, Philips, Valvo
MHD	Tesla	PCE	Philips, Valvo
MHE	Tesla	PCF	Milliard, Philips, Valvo
MHF	Tesla	PIC	GI, Unitrode
MHG	Tesla	PKD	PMI
MHW	Motorola	PLE	Monolithic Memories
MIC	ITT	PM	PMI
MJ	Plessey	PMB	TI
MJA	Tesla	PMJ	TI
MJB	Tesla	PNA	Philips, Valvo
MK	Mostek	PMR	Lambda
MKB	Mostek	R	Raytheon, Rockwell
MKJ	Mostek	RA	GI, Reticon
ML	ML, Mitel, Plessey	RC	Raytheon, Reticon
MLA	ML	REF	PMI
MLM	Motorola	RL	Raytheon, Reticon
MM	Intel, NSC	RM	Raytheon
MMS	Motorola	RO	GIC, Reticon
MN	Matsushita, Micro Networks, Plessey	RPT	PMI
		RV	Raytheon
MP	Intel, MPS, Plessey	R5	Reticon
MPC	BB	R6	Hybrid Systems
MPOP	MPS	S	American Microsystems, Signetics, Siliconix
MPU	SMC
MPY	IMI	SA	Signetics
MPREF	MPS	SAA	Milliard, RTC, Philips, Valvo
MSL	Oki
MSM	Oki	SAB	Philips, RTC, Telefunken, Valvo
MT	Mitel, Plessey
MUX	GI, PMI	SAD	Reticon
MV	DSI, Plessey	SAF	Philips, RTC, Valvo
MWS	RCA	SAH	Milliard
MX	American Microsystems, DSI, Intel	SAJ	ITT, Siemens, Valvo
		SAK	ITT, Valvo
MYA	Tesla	SAM	Reticon
MZH	Tesla	SAS	Telefunken, Oki
MZJ	Tesla	SAY	ITT
MZK	Tesla	SBA	GI
N	Signetics	SBB	Philips, Valvo
NC	GI, Nitron	SBP	Texas Instruments (TI)
NCR	NCR Microelectronics	SC	Nitron
NE	Signetics	SCB	Signetics
NH	NSC	sec	Signetics
NJ	Plessey	SCL	SSS
NMC	NSC	SCM	SSS
NMH	NSC	SCN	Signetics

Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)

Буквенное обозначение	Фирма	Буквенное обозначение	Фирма
sex	NSC	TBC	Siemens
SD	NSC	TBE	Siemens
SDA	Siemens, Philips, Thomson	TBP	TI
SE	Signetics	TC	Toshiba
SF	Thomson	TCA	ITT, Siemens, Valvo, SGS, Philips, RTC, Thomson, Telefunken
SFC	Thomson
SFF	Thomson
SG	Silicon General	TCD	Toshiba
SH	Fairchild	TCP	Toshiba
SHC	BB	TD	Toshiba, Thomson
SHM	DSI	TDA	ITT, RTC, SGS, Philips, Siemens, Telefunken, Thomson, Valvo
SI	Siliconix
SL	GI, NSC, Plessey
SLE	Siemens	TDB	Philips, RTC, Siemens, Thomson, Valvo
SM	NSC, SSS
SMB	TI	TDC	TRW, Siemens, Thomson, Transitron
SMM	Suwa
SMP	PMI	TDE	Thomson, RTC
SN	TI, Monolithic Memories	TDF	Thomson
SNA	TI	TDP	Toshiba
SNB	TI	TDS	TRW
SNC	TI	TE	Thomson
SND	SSS	TEA	RTC, Philips, Valvo, Mullard, Thomson
SNH	TI
SNJ	TI	TEB	Thomson
SNN	TI	TEC	Thomson
SNS	TI	TEE	Thomson
SNT	TI	TFA	Siemens
SP	American Microsystems	TFF	Transitron
SPB	GI	TG	Transitron
SPR	GI	TIFPLA	TI
SR	SMC	TIL	TI
SRM	Suwa	TIBPAL	TI
ss	GI, SSS	TL	TI, Telefunken
SSI	SSI	TLC	TI
sss	PMI	TLE	Siemens
STK	Sanyo	TM	Toshiba, Telmos
SU	Signetics	TMC	Transitron, TRW
SVM	Suwa	TMD	Telmos
SW	PMI	TMF	Telmos
SY	Synertek	TML	Telmos
SYE	Synertek	TMM	Toshiba
SYM	Synertek	TMP	Toshiba
SYX	Synertek	TMS	TI
T	SGS, Toshiba	TMZ	TRW
TA	RCA, Toshiba	TNF	Transitron
TAA	ITT, Siemens, SGS, Teleunken, Philips, Mullard, Valvo	TOA	Transitron
		TP	NSC, Teledyne
		TQ	TQSI
TAB	Mullard	TRC	Transitron
TAC	TI	TSC	Teledyne
TAD	Mullard, Reticon	TSR	Transitron
TAE	Siemens	TT	DSI
TAF	Siemens	TVR	Transitron
TAL	TI	U	Telefunken, GI, RFT
TAT	TI	UA	GI
TBA	ITT, RTC, Mullard, SGS Siemens, Philips, Telefunken, Valvo	UAA	Telefunken, Thomson, Valvo
		UAB	Thomson
TBB	Siemens	UAC	Thomson

Буквенное обозначение ИМС различных фирм (продолжение)

Буквенное обозначение	Фирма	Буквенное обозначение	Фирма
UC	Unitra, Unitrode, Solitron	VI	DSI
UCN	Spraque	VL	VLSI Technology
UCP	Spraque	VR	DSI
UCQ	Spraque	VS	VLSI Technology
UCS	Spraque	VT	VLSI Technology
UCX	Unitra	VU	VLSI Technology
UDN	Spraque	W	Siliconix
UDP	Spraque	WD	Western Digital
UDS	Spraque	X	Xicor
UGN	Spraque	XR	Exar
UHN	Spraque	Z	SGS, Zilog
UL	American Microsystems, Unitra	ZLD	Ferranti
		ZN	Ferranti
ULN	Spraque	ZNA	Ferranti
ULS	Spraque	ZNREF	Ferranti
UTN	Spraque	ZSS	Ferranti
		ZST	Ferranti
		ZX	Zytrex
		ZXCAL	Zytrex
		9N	Fairchild
		10G	Gigabit Logic Inc. (GLI)
VC	VLSI Technology	11G	GLI
VF	VLSI Techn., DS1	12G	GLI
VFC	BB	16G	GLI
VH	VLSI Technology	90G	GLI

Содержание:

Начинающие радиолюбители нередко сталкиваются с такой проблемой, как обозначение на схемах радиодеталей и правильное прочтение их маркировки. Основная трудность заключается в большом количестве наименований элементов, которые представлены транзисторами, резисторами, конденсаторами, диодами и другими деталями. От того, насколько правильно прочитана схема, во многом зависит ее практическое воплощение и нормальная работа готового изделия.

Резисторы

К резисторам относятся радиодетали, обладающие строго определенным сопротивление протекающему через них электрическому току. Данная функция предназначена для понижения тока в цепи. Например, чтобы лампа светила менее ярко, питание на нее подается через резистор. Чем выше сопротивление резистора, тем меньше будет свечение лампы. У постоянных резисторов сопротивление остается неизменным, а переменные резисторы могут изменять свое сопротивление от нулевого значения до максимально возможной величины.

Каждый постоянный резистор обладает двумя основными параметрами - мощностью и сопротивлением. Значение мощности указывается на схеме не буквенными или цифровыми символами, а с помощью специальных линий. Сама мощность определяется по формуле: P = U x I, то есть равна произведению напряжения и силы тока. Данный параметр имеет важное значение, поскольку тот или иной резистор может выдержать лишь определенное значение мощности. Если это значение будет превышено, элемент просто сгорит, так как во время прохождения тока по сопротивлению происходит выделение тепла. Поэтому на рисунке каждые линии, нанесенные на резистор, соответствуют определенной мощности.

Существуют и другие способы обозначения резисторов на схемах:

1. На принципиальных схемах обозначается порядковый номер в соответствии с расположением (R1) и значение сопротивления, равное 12К. Буква «К» является кратной приставкой и обозначает 1000. То есть, 12К соответствует 12000 Ом или 12 килоом. Если в маркировке присутствует буква «М», это указывает на 12000000 Ом или 12 мегаом.
2. В маркировке с помощью букв и цифр, буквенные символы Е, К и М соответствуют определенным кратным приставкам. Так буква Е = 1, К = 1000, М = 1000000. Расшифровка обозначений будет выглядеть следующим образом: 15Е - 15 Ом; К15 - 0,15 Ом - 150 Ом; 1К5 - 1,5 кОм; 15К - 15 кОм; М15 - 0,15М - 150 кОм; 1М2 - 1,5 мОм; 15М - 15мОм.
3. В данном случае используются только цифровые обозначения. Каждое включает в себя три цифры. Первые две из них соответствуют значению, а третья - множителю. Таким образом, к множителям относятся: 0, 1, 2, 3 и 4. Они означают количество нулей, добавляемых к основному значению. Например, 150 - 15 Ом; 151 - 150 Ом; 152 - 1500 Ом; 153 - 15000 Ом; 154 - 120000 Ом.

Постоянные резисторы

Название постоянных резисторов связано с их номинальным сопротивлением, которое остается неизменным в течение всего периода эксплуатации. Они различаются между собой в зависимости от конструкции и материалов.

Проволочные элементы состоят из металлических проводов. В некоторых случаях могут использоваться сплавы с высоким удельным сопротивлением. Основой для намотки проволоки служит керамический каркас. Данные резисторы обладают высокой точностью номинала, а серьезным недостатком считается наличие большой собственной индуктивности. При изготовлении пленочных металлических резисторов, на керамическое основание напыляется металл, обладающий высоким удельным сопротивлением. Благодаря своим качествам, такие элементы получили наиболее широкое распространение.

Конструкция угольных постоянных резисторов может быть пленочной или объемной. В данном случае используются качества графита, как материала с высоким удельным сопротивлением. Существуют и другие резисторы, например, интегральные. Они применяются в специфических интегральных схемах, где использование других элементов не представляется возможным.

Переменные резисторы

Начинающие радиолюбители нередко путают переменный резистор с конденсатором переменной емкости, поскольку внешне они очень похожи друг на друга. Тем не менее, у них совершенно разные функции, а также имеются существенные отличия в отображении на принципиальных схемах.

В конструкцию переменного резистора входит ползунок, вращающийся по резистивной поверхности. Его основной функцией является подстройка параметров, заключающаяся в изменении внутреннего сопротивления до нужного значения. На этом принципе основана работа регулятора звука в аудиотехнике и других аналогичных устройствах. Все регулировки осуществляются за счет плавного изменения напряжения и тока в электронных устройствах.

Основным параметром переменного резистора является сопротивление, способное изменяться в определенных пределах. Кроме того, он обладает установленной мощностью, которую должен выдерживать. Этими качествами обладают все типы резисторов.

На отечественных принципиальных схемах элементы переменного типа обозначаются в виде прямоугольника, на котором отмечены два основных и один дополнительный вывод, располагающийся вертикально или проходящих сквозь значок по диагонали.

На зарубежных схемах прямоугольник заменен изогнутой линией с обозначением дополнительного вывода. Рядом с обозначением ставится английская буква R с порядковым номером того или иного элемента. Рядом проставляется значение номинального сопротивления.

Соединение резисторов

В электронике и электротехнике довольно часто используются соединения резисторов в различных комбинациях и конфигурациях. Для большей наглядности следует рассматривать отдельный участок цепи с последовательным, параллельным и .

При последовательном соединении конец одного резистора соединяется с началом следующего элемента. Таким образом, все резисторы подключаются друг за другом, и по ним протекает общий ток одинакового значения. Между начальной и конечной точкой существует только один путь для протекания тока. С возрастанием количества резисторов, соединенных в общую цепь, происходит соответствующий рост общего сопротивления.

Параллельным считается такое соединение, когда начальные концы всех резисторов объединяются в одной точке, а конечные выходы - в другой точке. Течение тока происходит по каждому, отдельно взятому резистору. В результате параллельного соединения с увеличением числа подключенных резисторов, возрастает и количество путей для протекания тока. Общее сопротивление на таком участке уменьшается пропорционально количеству подключенных резисторов. Оно всегда будет меньше, чем сопротивление любого резистора, подключенного параллельно.

Чаще всего в радиоэлектронике используется смешанное соединение, представляющее собой комбинацию параллельного и последовательного вариантов.

На представленной схеме параллельно соединяются резисторы R2 и R3. Последовательное соединение включает в себя резистор R1, комбинацию R2 и R3 и резистор R4. Для того чтобы рассчитать сопротивление такого соединения, вся цепь разбивается на несколько простейших участков. После этого значения сопротивлений суммируются и получается общий результат.

Полупроводники

Стандартный полупроводниковый диод состоит из двух выводов и одного выпрямляющего электрического перехода. Все элементы системы объединяются в общем корпусе из керамики, стекла, металла или пластмассы. Одна часть кристалла называется эмиттером, в связи с высокой концентрацией примесей, а другая часть, с низкой концентрацией, именуется базой. Маркировка полупроводников на схемах отражает их конструктивные особенности и технические характеристики.

Для изготовления полупроводников используется германий или кремний. В первом случае удается добиться более высокого коэффициента передачи. Элементы из германия отличаются повышенной проводимостью, для которой достаточно даже невысокого напряжения.

В зависимости от конструкции, полупроводники могут быть точечными или плоскостными, а по технологическим признакам они бывают выпрямительными, импульсными или универсальными.

Конденсаторы

Конденсатор представляет собой систему, включающую два и более электродов, выполненных в виде пластин - обкладок. Они разделяются диэлектриком, который значительно тоньше, чем обкладки конденсатора. Все устройство имеет взаимную емкость и обладает способностью к сохранению электрического заряда. На простейшей схеме конденсатор представлен в виде двух параллельных металлических пластин, разделенных каким-либо диэлектрическим материалом.

На принципиальной схеме рядом с изображением конденсатора указывается его номинальная емкость в микрофарадах (мкФ) или пикофарадах (пФ). При обозначении электролитических и высоковольтных конденсаторов, после номинальной емкости указывается значение максимального рабочего напряжения, измеряемого в вольтах (В) или киловольтах (кВ).

Переменные конденсаторы

Для обозначения конденсаторов с переменной емкостью используются два параллельных отрезка, которые пересекает наклонная стрелка. Подвижные пластины, подключаемые в определенной точке схемы, изображаются в виде короткой дуги. Возле нее проставляется обозначение минимальной и максимальной емкости. Блок конденсаторов, состоящий из нескольких секций, объединяется с помощью штриховой линии, пересекающей знаки регулировки (стрелки).

Обозначение подстроечного конденсатора включает в себя наклонную линию со штрихом на конце вместо стрелки. Ротор отображается в виде короткой дуги. Другие элементы - термоконденсаторы обозначаются буквами СК. В его графическом изображении возле знака нелинейной регулировки проставляется температурный символ.

Постоянные конденсаторы

Широко используются графические обозначения конденсаторов с постоянной емкостью. Они изображаются в виде двух параллельных отрезков и выводов из середины каждого из них. Возле значка проставляется буква С, после нее - порядковый номер элемента и с небольшим интервалом - числовое обозначение номинальной емкости.

При использовании в схеме конденсатора с , вместо его порядкового номера наносится звездочка. Значение номинального напряжения указывается лишь для цепей с высоким напряжением. Это касается всех конденсаторов, кроме электролитических. Цифровой символ напряжения проставляется после обозначения емкости.

Соединение многих электролитических конденсаторов требует соблюдения полярности. На схемах для обозначения положительной обкладки используется значок «+» либо узкий прямоугольник. При отсутствии полярности узкими прямоугольниками помечаются обе обкладки.

Диоды и стабилитроны

Диоды относятся к простейшим полупроводниковым приборам, функционирующим на основе электронно-дырочного перехода, известного как p-n-переход. Свойство односторонней проводимости наглядно передается на графических обозначениях. Стандартный диод изображается в виде треугольника, символизирующего анод. Вершина треугольника указывает направление проводимости и упирается в поперечную черту, обозначающую катод. Все изображение пересекается по центру линией электрической цепи.

Для используется буквенное обозначение VD. Оно отображает не только отдельные элементы, но и целые группы, например, . Тип того или иного диода указывается возле его позиционного обозначения.

Базовый символ применяется и для обозначения стабилитронов, представляющих собой полупроводниковые диоды с особыми свойствами. В катоде присутствует короткий штрих, направленный в сторону треугольника, символизирующего анод. Данный штрих располагается неизменно, независимо от положения значка стабилитрона на принципиальной схеме.

Транзисторы

У большинства радиоэлектронных компонентов имеется лишь два вывода. Однако такие элементы как транзисторы оборудованы тремя выводами. Их конструкции отличаются разнообразными типами, формами и размерами. Общие принципы работы у них одинаковые, а небольшие отличия связаны с техническими характеристиками конкретного элемента.

Транзисторы используются преимущественно в качестве электронных коммутаторов для включения и выключения различных устройств. Основное удобство таких приборов заключается в возможности коммутировать большое напряжение с помощью источника малого напряжения.

По своей сути каждый транзистор является полупроводниковым прибором, с помощью которого генерируются, усиливаются и преобразуются электрические колебания. Наибольшее распространение получили биполярные транзисторы с одинаковой электропроводностью эмиттера и коллектора.

На схемах они обозначаются буквенным кодом VT. Графическое изображение представляет собой короткую черточку, от середины которой отходит линия. Данный символ обозначает базу. К ее краям проводятся две наклонные линии под углом 60 0 , отображающие эмиттер и коллектор.

Электропроводность базы зависит от направления стрелки эмиттера. Если она направлена в сторону базы, то электропроводность эмиттера - р, а у базы - n. При направлении стрелки в противоположную сторону, эмиттер и база меняют электропроводность на противоположное значение. Знание электропроводности необходимо для правильного подключения транзистора к источнику питания.

Для того чтобы обозначение на схемах радиодеталей транзистора было более наглядным, оно помещается в кружок, означающий корпус. В некоторых случаях выполняется соединение металлического корпуса с одним из выводов элемента. Такое место на схеме отображается в виде точки, проставляемой там, где вывод пересекается с символом корпуса. Если же на корпусе имеется отдельный вывод, то линия, обозначающая вывод, может подсоединяться к кружку без точки. Возле позиционного обозначения транзистора указывается его тип, что позволяет существенно повысить информативность схемы.

Буквенные обозначение на схемах радиодеталей

Основное обозначение	Наименование элемента	Дополнительное обозначение	Вид устройства
	Устройство		Регулятор тока
			Блок реле
			Устройство
	Преобразователи		Громкоговоритель
			Датчик тепловой
			Фотоэлемент
			Микрофон
			Звукосниматель
	Конденсаторы		Батарея конденсаторов силовая
			Блок конденсаторов зарядный
	Интегральные схемы, микросборки		ИС аналоговая
			ИС цифровая, логический элемент
	Элементы разные		Теплоэлектронагреватель
			Лампа осветительная
	Разрядники, предохранители, устройства защитные		Дискретный элемент защиты по току мгновенного действия
			То же, по току инерционного действия
			Предохранитель плавкий
			Разрядник
	Генераторы, источники питания		Батарея аккумуляторов
			Синхронный компенсатор
			Возбудитель генератора
	Устройства индикационные и сигнальные		Прибор звуковой сигнализации
			Индикатор
			Прибор световой сигнализации
			Табло сигнальное
			Лампа сигнальная с зеленой линзой
			Лампа сигнальная с красной линзой
			Лампа сигнальная с белой линзой
			Индикаторы ионные и полупроводниковые
	Реле, контакторы, пускатели		Реле токовое
			Реле указательное
			Реле электротепловое
			Контактор, магнитный пускатель
			Реле времени
			Реле напряжения
			Реле команды включения
			Реле команды отключения
			Реле промежуточное
	Катушки индуктивности, дроссели		Дроссель люминесцентного освещения
			Измеритель времени действия, часы
			Вольтметр
			Ваттметр
	Выключатели и разъединители силовые		Выключатель автоматический
	Резисторы		Терморезистор
			Потенциометр
			Шунт измерительный
			Варистор
	Устройство коммутации в цепях управления, сигнализации и измерительных цепях		Выключатель или переключатель
			Выключатель кнопочный
			Выключатель автоматический
	Автотрансформаторы		Трансформатор тока
			Трансформаторы напряжения
	Преобразователи		Модулятор
			Демодулятор
			Блок питания
			Преобразователь частоты
	Приборы электровакуумные и полупроводниковые		Диод, стабилитрон
			Прибор электровакуумный
			Транзистор
			Тиристор
	Соединители контактные		Токосъемник
			Соединитель высокочастотный
	Устройства механические с электромагнитным приводом		Электромагнит
			Замок электромагнитный

1. Введение
2. Корпуса SMD компонентов
3. Типоразмеры SMD компонентов
   • SMD резисторы
   • SMD конденсаторы
   • SMD катушки и дроссели
4. SMD транзисторы
5. Маркировка SMD компонентов
6. Пайка SMD компонентов

Введение

Современному радиолюбителю сейчас доступны не только обычные компоненты с выводами, но и такие маленькие, темненькие, на которых не понять что написано, детали. Они называются "SMD". По-русски это значит "компоненты поверхностного монтажа". Их главное преимущество в том, что они позволяют промышленности собирать платы с помощью роботов, которые с огромной скоростью расставляют SMD-компоненты по своим местам на печатных платах, а затем массово "запекают" и на выходе получают смонтированные печатные платы. На долю человека остаются те операции, которые робот не может выполнить. Пока не может.

Применение чип-компонентов в радиолюбительской практике тоже возможно, даже нужно, так как позволяет уменьшить вес, размер и стоимость готового изделия. Да ещё и сверлить практически не придётся.

Для тех, кто впервые столкнулся с SMD-компонентами естественным является смятение. Как разобраться в их многообразии: где резистор, а где конденсатор или транзистор, каких они бывают размеров, какие корпуса smd-деталей существуют? На все эти вопросы ты найдешь ответы ниже. Читай, пригодится!

Корпуса чип-компонентов

Достаточно условно все компоненты поверхностного монтажа можно разбить на группы по количеству выводов и размеру корпуса:

выводы/размер	Очень-очень маленькие	Очень маленькие	Маленькие	Средние
2 вывода	SOD962 (DSN0603-2) , WLCSP2*, SOD882 (DFN1106-2) , SOD882D (DFN1106D-2) , SOD523, SOD1608 (DFN1608D-2)	SOD323, SOD328	SOD123F, SOD123W	SOD128
3 вывода	SOT883B (DFN1006B-3) , SOT883, SOT663, SOT416	SOT323, SOT1061 (DFN2020-3)	SOT23	SOT89, DPAK (TO-252) , D2PAK (TO-263) , D3PAK (TO-268)
4-5 выводов	WLCSP4*, SOT1194, WLCSP5*, SOT665	SOT353	SOT143B, SOT753	SOT223, POWER-SO8
6-8 выводов	SOT1202, SOT891, SOT886, SOT666, WLCSP6*	SOT363, SOT1220 (DFN2020MD-6) , SOT1118 (DFN2020-6)	SOT457, SOT505	SOT873-1 (DFN3333-8), SOT96
> 8 выводов	WLCSP9*, SOT1157 (DFN17-12-8) , SOT983 (DFN1714U-8)	WLCSP16*, SOT1178 (DFN2110-9) , WLCSP24*	SOT1176 (DFN2510A-10) , SOT1158 (DFN2512-12) , SOT1156 (DFN2521-12)	SOT552, SOT617 (DFN5050-32) , SOT510

Конечно, корпуса в таблице указаны далеко не все, так как реальная промышленность выпускает компоненты в новых корпусах быстрее, чем органы стандартизации поспевают за ними.

Корпуса SMD-компонентов могут быть как с выводами, так и без них. Если выводов нет, то на корпусе есть контактные площадки либо небольшие шарики припоя (BGA). Также в зависимости от фирмы-производителя детали могут могут различаться маркировкой и габаритами. Например, у конденсаторов может различаться высота.

Большинство корпусов SMD-компонентов предназначены для монтажа с помощью специального оборудования, которое радиолюбители не имеют и врядли когда-нибудь будет иметь. Связано это с технологией пайки таких компонентов. Конечно, при определённом упорстве и фанатизме можно и в домашних условиях паять .

Типы корпусов SMD по названиям

Название	Расшифровка	кол-во выводов
SOT	small outline transistor	3
SOD	small outline diode	2
SOIC	small outline integrated circuit	>4, в две линии по бокам
TSOP	thin outline package (тонкий SOIC)	>4, в две линии по бокам
SSOP	усаженый SOIC	>4, в две линии по бокам
TSSOP	тонкий усаженный SOIC	>4, в две линии по бокам
QSOP	SOIC четвертного размера	>4, в две линии по бокам
VSOP	QSOP ещё меньшего размера	>4, в две линии по бокам
PLCC	ИС в пластиковом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J	>4, в четыре линии по бокам
CLCC	ИС в керамическом корпусе с выводами, загнутыми под корпус с виде буквы J	>4, в четыре линии по бокам
QFP	квадратный плоский корпус	>4, в четыре линии по бокам
LQFP	низкопрофильный QFP	>4, в четыре линии по бокам
PQFP	пластиковый QFP	>4, в четыре линии по бокам
CQFP	керамический QFP	>4, в четыре линии по бокам
TQFP	тоньше QFP	>4, в четыре линии по бокам
PQFN	силовой QFP без выводов с площадкой под радиатор	>4, в четыре линии по бокам
BGA	Ball grid array. Массив шариков вместо выводов	массив выводов
LFBGA	низкопрофильный FBGA	массив выводов
CGA	корпус с входными и выходными выводами из тугоплавкого припоя	массив выводов
CCGA	СGA в керамическом корпусе	массив выводов
μBGA	микро BGA	массив выводов
FCBGA	Flip-chip ball grid array. М ассив шариков на подложке, к которой припаян кристалл с теплоотводом	массив выводов
LLP	безвыводной корпус

Из всего этого зоопарка чип-компонентов для применения в любительских целях могут сгодиться: чип-резисторы, чип-конденсаторы, чип-индуктивности, чип-диоды и транзисторы, светодиоды, стабилитроны, некоторые микросхемы в SOIC корпусах. Конденсаторы обычно выглядят как простые параллелипипеды или маленькие бочонки. Бочонки -- это электролитические, а параллелипипеды скорей всего будут танталовыми или керамическими конденсаторами.

Типоразмеры SMD-компонентов

Чип-компоненты одного номинала могут иметь разные габариты. Габариты SMD-компонента определяются по его "типоразмеру". Например, чип-резисторы имеют типоразмеры от "0201" до "2512". Этими четырьмя цифрами закодированы ширина и длина чип-резистора в дюймах. Ниже в таблицах можно посмотреть типоразмеры в миллиметрах.

smd резисторы

Прямоугольные чип-резисторы и керамические конденсаторы
Типоразмер	L, мм (дюйм)	W, мм (дюйм)	H, мм (дюйм)	A, мм	Вт
0201	0.6 (0.02)	0.3 (0.01)	0.23 (0.01)	0.13	1/20
0402	1.0 (0.04)	0.5 (0.01)	0.35 (0.014)	0.25	1/16
0603	1.6 (0.06)	0.8 (0.03)	0.45 (0.018)	0.3	1/10
0805	2.0 (0.08)	1.2 (0.05)	0.4 (0.018)	0.4	1/8
1206	3.2 (0.12)	1.6 (0.06)	0.5 (0.022)	0.5	1/4
1210	5.0 (0.12)	2.5 (0.10)	0.55 (0.022)	0.5	1/2
1218	5.0 (0.12)	2.5 (0.18)	0.55 (0.022)	0.5	1
2010	5.0 (0.20)	2.5 (0.10)	0.55 (0.024)	0.5	3/4
2512	6.35 (0.25)	3.2 (0.12)	0.55 (0.024)	0.5	1
Цилиндрические чип-резисторы и диоды
Типоразмер	Ø, мм (дюйм)	L, мм (дюйм)	Вт
0102	1.1 (0.01)	2.2 (0.02)	1/4
0204	1.4 (0.02)	3.6 (0.04)	1/2
0207	2.2 (0.02)	5.8 (0.07)	1

smd конденсаторы

Керамические чип-конденсаторы совпадают по типоразмеру с чип-резисторами, а вот танталовые чип-конденсаторы имеют своют систему типоразмеров:

Танталовые конденсаторы
Типоразмер	L, мм (дюйм)	W, мм (дюйм)	T, мм (дюйм)	B, мм	A, мм
A	3.2 (0.126)	1.6 (0.063)	1.6 (0.063)	1.2	0.8
B	3.5 (0.138)	2.8 (0.110)	1.9 (0.075)	2.2	0.8
C	6.0 (0.236)	3.2 (0.126)	2.5 (0.098)	2.2	1.3
D	7.3 (0.287)	4.3 (0.170)	2.8 (0.110)	2.4	1.3
E	7.3 (0.287)	4.3 (0.170)	4.0 (0.158)	2.4	1.2

smd катушки индуктивности и дроссели

Индуктивности встречаются во множестве видов корпусов, но корпуса подчиняются все тому же закону типоразмеров. Это облегачает автоматический монтаж. Да и нам, радиолюбителям, позволяет легче ориентироваться.

Всякие катушки, дроссели и трансформаторы называются "моточные изделия". Обычно мы их мотаем сами, но иногда можно и прикупить готовые изделия. Тем более, если требуются SMD варианты, которые выпускаются со множестом бонусов: магнитное экранирование корпуса, компактность, закрытый или открытый корпус, высокая добротность, электромагнитное экранирование, широкий диапазон рабочих температур.

Подбирать требующуюся катушку лучше по каталогам и требуемому типоразмеру. Типоразмеры, как и для чип-резисторов задаются спомощью кода из четырех чисел (0805). При этом "08" обозначает длину, а "05" ширину в дюймах. Реальный размер такого SMD-компонента будет 0.08х0.05 дюйма.

smd диоды и стабилитроны

Диоды могут быть как в цилиндрических корпусах, так и в корпусах в виде небольших параллелипипедов. Цилиндрические корпуса диодов чаще всего предсавтлены корпусами MiniMELF (SOD80 / DO213AA / LL34) или MELF (DO213AB / LL41). Типоразмеры у них задаются также как у катушек, резисторов, конденсаторов.

Диоды, стабилитроны, конденсаторы, резисторы
Тип корпуса	L* (мм)	D* (мм)	F* (мм)	S* (мм)	Примечание
DO-213AA (SOD80)	3.5	1.65	048	0.03	JEDEC
DO-213AB (MELF)	5.0	2.52	0.48	0.03	JEDEC
DO-213AC	3.45	1.4	0.42	-	JEDEC
ERD03LL	1.6	1.0	0.2	0.05	PANASONIC
ER021L	2.0	1.25	0.3	0.07	PANASONIC
ERSM	5.9	2.2	0.6	0.15	PANASONIC, ГОСТ Р1-11
MELF	5.0	2.5	0.5	0.1	CENTS
SOD80 (miniMELF)	3.5	1.6	0.3	0.075	PHILIPS
SOD80C	3.6	1.52	0.3	0.075	PHILIPS
SOD87	3.5	2.05	0.3	0.075	PHILIPS

smd транзисторы

Транзисторы для поверхностного монтажа могут быть также малой, средней и большой мощности. Они также имеют соответствующие корпуса. Корпуса транзисторов можно условно разбить на две группы: SOT, DPAK.

Хочу обратить внимание, что в таких корпусах могут быть также сборки из нескольких компонентов, а не только транзисторы. Например, диодные сборки.

Маркировка SMD-компонентов

Мне иногда кажется, что маркировка современных электронных компонентов превратилась в целую науку, подобную истории или археологии, так как, чтобы разобраться какой компонент установлен на плату иногда приходитсяпровести целый анализ окружающих его элементов. В этом плане советские выводные компоненты, на которых текстом писался номинал и модель были просто мечтой для любителя, так как не надо было ворошить груды справочников, чтобы разобраться, что это за детали.

Причина кроется в автоматизации процесса сборки. SMD компоненты устанавливаются роботами, в которых установлены сециальные бабины (подобные некогда бабинам с магнитными лентами), в которых расположены чип-компоненты. Роботу все равно, что там в бабине и есть ли у деталей маркировка. Маркировка нужна человеку.

Пайка чип-компонентов

В домашних условиях чип-компоненты можно паять только до определённых размеров, более-менее комфортным для ручного монтажа считается типоразмер 0805. Более миниатюрные компоненты паяются уже с помощью печки. При этом для качественной пропайки в домашних условиях следует соблюдать целый комплекс мер.

ОБЩИЕ ПОЛОЖЕНИЯ И ИСХОДНЫЕ ДАННЫЕ

К ВЫПОЛНЕНИЮ КОНТРОЛЬНОЙ РАБОТЫ

Контрольная работа выполняется в соответствии с программой дисциплины «Микропроцессорные системы управления электроподвижным составом». Заданием предусматривается анализ и принцип работы одной из интегральных микросхем, которая используется в микропроцессорных системах управления электроподвижным составом.

Для успешного выполнения работы необходимо изучить материал дисциплины в соответствии с программой, а также познакомиться с назначением, условным графическим изображением и принципом работы заданной интегральной микросхемы.

Работа состоит из нескольких разделов, соответствующих этапам анализа работы интегральной микросхемы. По каждому разделу даны методические указания и приводится порядок выполнения, который необходимо соблюдать. Методические указания содержат лишь самые общие сведения по вопросам, предложенным для проработки. Более подробные сведения можно получить из литературы, список которой приведен в конце задания.

При оформлении работы необходимо соблюдать следующие правила:

1. Работа оформляется в виде пояснительной записки на одной стороне листов формата А4.

2. Графический материал и таблицы выполняется в соответствии с СТП ОмГУПС.

3. Пояснительная записка состоит из разделов, оформляемых по рекомендациям методических указаний.

4. Следует давать расшифровку условных обозначений, применяемых в пояснительной записке. Расшифровку каждого условного обозначения достаточно привести один раз при его первом появлении.

5. Не следует переписывать в качестве пояснений текст из методических указаний или литературных источников. Необходимые пояснения нужно формулировать самостоятельно, по возможности кратко.

Исходными данными для контрольной работы являются интегральные микросхемы, распложенные в табл. 1 согласно двух последних цифр учебного шифра студента.

Микросхемы для контрольной работы

Таблица 1

К1588ИЕ10

К561ЛН3

К1564ПУ1

МЕТОДИЧЕСКИЕ УКАЗАНИЯ

К ВЫПОЛНЕНИЮ РАБОТЫ

Кодовое обозначение интегральных микросхем и его расшифровка

В технической литературе можно встретить микросхемы, классифицированные по признаку преобразования сигнала: аналоговые (линейные), цифровые (дискретные) и аналого-цифровые. Типичным примером аналоговых схем являются операционные усилители, линейные интегральные стабилизаторы напряжения и другие, специализированные микросхемы – все они оперируют с непрерывным (или плавно изменяющимся) сигналом. Типичным примером цифровых схем являются логические микросхемы, счетчики, мультиплексоры и др. Аналого-цифровые микросхемы являются интегральными микросхемами промежуточного класса, содержащие элементы аналоговых и цифровых микросхем. Типичным простейшим представителем аналого-цифровых микросхем является компаратор, преобразующий непрерывный аналоговый сигнал в дискретный.

Согласно ОСТ 11.073.915-80 интегральные микросхемы отечественного производства обозначаются буквенно-цифровым кодом, который включает до шести знаков (элементов).

Первый элемент может состоять из одной буквы К, которая означает, что микросхема предназначена для устройств широкого общепромышленного применения. Если микросхема выполнена в экспортном исполнении, то перед буквой К стоит буква Э. Отсутствие первого элемента обозначения, буквы К, указывает, что микросхема предназначена для применения в специальной продукции.

Второй элемент – буква, характеризующая материал и тип корпуса микросхемы:

А – пластмассовый, планарный корпус;

Б – бескорпусная микросхема;

Е – металлополимерный корпус с параллельным двухрядным расположением выводов;

И – стеклокерамический планарный корпус;

М – металлокерамический, керамический или стеклокерамический корпус с параллельным двухрядным расположением выводов;

Н – кристаллоноситель (безвыводной);

Р – пластмассовый корпус с параллельным двухрядным расположением выводов (у цифровых микросхем часто опускается);

С – стеклокерамический корпус с двухрядным расположением выводов;

Ф – пластмассовый микрокорпус.

Третий элемент – одна цифра, указывает группу микросхем по конструктивно-технологическому признаку:

цифры 1, 5, 6, 7 – полупроводниковые микросхемы;

цифры 2, 4, 8 – гибридные микросхемы;

цифра 3 – прочие.

Четвертый элемент – две или три цифры, которые определяют порядковый номер разработки серии.

Пятый элемент – две буквы, определяют функциональное назначение микросхем по выполняемым функциям:

Г – генераторы:

ГС – гармонических сигналов;

ГГ – прямоугольных сигналов (мультивибраторы, блокинг-генераторы);

ГЛ – линейно изменяющихся сигналов;

ГФ – сигналов специальной формы;

ГМ – шума;

ГП – прочие;

В – вычислительные устройства:

ВЕ – Микро-ЭВМ;

ВМ – Микропроцессоры;

ВС – Микропроцессорные секции;

ВУ – Устройства микропрограммного управления;

ВР – Функциональные расширители;

ВБ – Устройства синхронизации;

ВН – Устройства управления прерыванием;

ВВ – Устройства управления вводом – выводом;

ВТ – Устройства управления памятью;

ВФ – Функциональные преобразователи информации;

ВА – Устройства сопряжения с магистралью;

ВИ – Времязадающие устройства;

ВХ – Микрокалькуляторы;

ВГ – Контроллеры;

ВК – Комбинированные устройства;

ВЖ – Специализированные устройства;

ВП – Прочие;

Р – Запоминающие устройства:

РМ – Матрицы ОЗУ;

РУ – ОЗУ;

РВ – Матрицы ПЗУ;

РЕ – ПЗУ (масочные);

РТ – ПЗУ с возможностью однократного программирования;

РР – ПЗУ с возможностью многократного электрического перепрограммирования;

РФ – ПЗУ с ультрафиолетовым стиранием и электрической записью информации;

РА – Ассоциативные запоминающие устройства;

РЦ – Запоминающие устройства на ЦМД;

РП – Прочие.

Л – Логические элементы:

ЛЛ – ИЛИ;

ЛС – И - ИЛИ;

ЛА – И - НЕ;

ЛЕ – ИЛИ - НЕ;

ЛР – И - ИЛИ - НЕ;

ЛК – И-ИЛИ-НЕ (И-ИЛИ);

ЛМ – ИЛИ-НЕ (ИЛИ);

ЛБ – И-НЕ / ИЛИ-НЕ;

ЛД – Расширители;

ЛП – Прочие;

Т – Триггеры:

ТЛ – Шмитта;

ТД – Динамические;

ТТ – Т – триггер;

ТР – RS – триггер;

ТМ – D – триггер;

ТВ – JK – триггер;

ТК – Комбинированные;

ТП – Прочие;

И – Цифровые устройства:

ИР – Регистры;

ИМ – Сумматоры;

ИЛ – Полусумматоры;

ИЕ – Счетчики;

ИД – Дешифраторы;

ИК – Комбинированные;

ИВ – Шифраторы;

ИА – Арифметико - логические устройства;

ИП – Прочие;

Е – Источники вторичного питания:

ЕМ – Преобразователи;

ЕВ – Выпрямители;

ЕН – Стабилизаторы напряжения непрерывные;

ЕТ – Стабилизаторы тока;

ЕК – Стабилизаторы напряжения импульсные;

ЕУ – Устройства управления импульсными стабилизаторами напряжения;

ЕП – Прочие;

Х – Многофункциональные устройства:

ХА – Аналоговые;

ХЛ – Цифровые;

ХК – Комбинированные;

ХМ – Цифровые матрицы;

ХИ – Аналоговые матрицы;

ХТ – Комбинированные матрицы;

ХИ – Прочие;

М – Модуляторы:

МА – Амплитудные;

МИ – Импульсные;

МС – Частотные;

МФ – Фазовые;

МП –.Прочие;

Н – Наборы элементов;

НД – Диодов;

НТ – Транзисторов;

НР – Резисторов;

НЕ – Конденсаторов;

НК – Комбинированные;

НФ – Функциональные;

НП – Прочие;

П – Преобразователи:

ПС – Частоты;

ПФ – Фазы;

ПД – Длительности (импульсов);

ПН – Напряжения;

ПМ – Мощности;

ПУ – Уровня (согласователи);

ПЛ – Синтезаторы частоты;

ПЕ – Делители частоты аналоговые;

ПЦ – Делители частоты цифровые;

ПА – Цифро - аналоговые;

ПВ – Аналого - цифровые;

ПР – Код - код;

ПП – Прочие;

У – Усилители:

УТ – Постоянного тока;

УИ – Импульсные;

УЕ – Повторители;

УВ – Высокой частоты;

УР – Промежуточной частоты;

УН – Низкой частоты;

УК – Широкополосные;

УЛ – Считывания и воспроизведения;

УМ – Индикации;

УД – Операционные;

УС – Дифференциальные;

УП – Прочие;

Б – Устройства задержки:

БМ – Пассивные;

БР – Активные;

БП – Прочие;

С – Устройства селекции и сравнения:

СА – Амплитудные;

СВ – Временные;

СС – Частотные;

СФ – Фазовые;

СП – Прочие;

Ф – Фильтры:

ФВ – Верхних частот;

ФН – Нижних частот;

ФЕ – Полосовые;

ФР – Режекторные;